IBM和开发合作伙伴三星宣布，他们开发了一种制造一种非易失性RAM的过程，该过程比NAND闪光快10万倍，从未磨损。
两家公司使用旋转转换扭矩（STT）技术合作开发下一代磁阻RAM（MRAM），这将导致低容量的存储器芯片，用于当前使用NAND Flash的Internet传感器，可穿戴设备和移动设备进行存储数据。
IBM和Samsung在IEEE Magnetics的一篇文章中发表了一篇论文，概述了首次将STT MRAM缩放到11纳米的首次缩放到11纳米，只使用10纳秒脉冲和仅为7.5微孔 - “显着成就”。
IBM.
与MRAM的10纳秒相比，NAND闪存平均需要一个毫秒，而是与MRAM的10纳秒相比，MRAM比NAND闪存的速度快10万次，并且在IBM Research的MRAM开发的高级经理Daniel Worledge表示，读数更快10倍。 ，在电子邮件回复Computerworld中。
“这很重要，因为与其他记忆技术相比，它现在落入了甜点，这一级别使得制造可行，”伍说。
“这可能永远不会通过面内磁化装置来完成 - 他们只是唐的”T刻度“，伍说，参考早期版本的自旋扭矩MRAM。“虽然需要做更多的研究，但这应该为行业提供所需的信心。现在是自旋扭矩MRAM的时间。“
旋转扭矩MRAM可用于超低功耗应用中的新型工作存储器。例如，它可以在IOT或移动设备中使用，当它在上面和存储信息时使用非常低的功率，并且当它不受主动使用时，它使用零功率，因为它不易挥发。
由 dawei
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